關(guān)于研究生電化學(xué)測量部分的復(fù)習(xí)知識點(diǎn)
研究生實(shí)驗(yàn)課復(fù)習(xí)（電化學(xué)測量部分）
1. 電化學(xué)測量體系表格。
2. 支持電解質(zhì)的作用及要求。
作用：減小溶液電阻，減小ψ1效應(yīng)；有效地消除電活性物種的電遷移現(xiàn)象；減小WE和CE間的電阻，避免過量的Joule熱效應(yīng)；有助于保持均一的電流和電勢分布。
要求：①在溶劑中要有相當(dāng)大的溶解度；②保持電化學(xué)惰性，電勢窗大；③不與體系中的物質(zhì)或者電極反應(yīng)有關(guān)的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)；④對電極表面無特性吸附。
4．直接電位法：電極電位與溶液中電活性物質(zhì)的活度有關(guān)，通過測量溶液的電動勢，由能斯特公式計(jì)算被測物質(zhì)含量。（2-17）（2-19）
5. 庫侖分析法：在電解分析法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，通過測量被測物質(zhì)在100％電流效率下電解所消耗的電量來進(jìn)行定量分析的方法，定量依據(jù)是法拉第定律。（2-36）
6．控制電位電解法的圖譜含義。
控制電位電解法是在控制陰極或陽極電位為一恒定值的條件下進(jìn)行電解的方法。若溶液中存在有A、B兩種金屬離子，左圖為電解時(shí)電流與陰極電位的關(guān)系曲線。其中a、b兩點(diǎn)分別代表A、B離子的陰極析出電位。若控制陰極電位電解時(shí)，使其負(fù)于a而正于b，如圖中d點(diǎn)的電位，則A離子能在陰極上還原析出而B離子則不能，從而達(dá)到分離B的目的。在陰極上，析出電位愈正者，愈易還原；在陽極上，析出電位愈負(fù)者，愈易氧化。
7. 混合控制過程的阻抗復(fù)數(shù)平面圖含義（3-47）
混合控制下，高頻區(qū)出現(xiàn)傳荷過程控制的特征阻抗半圓，低頻區(qū)出現(xiàn)擴(kuò)散控制的特征直線。
8. 對消法的定義。
在待測電池上并聯(lián)一個(gè)大小相等、方向相反的外加電勢差，這樣待測電池中沒有電流通過，外加電勢差的大小即等于待測電池的電動勢。
9. 典型的DSSC的阻抗譜圖及分析。
一般情況，EIS 出現(xiàn)三個(gè)半圓弧，其中，高頻區(qū)的阻抗(Z1)代表對電極/電解液界面之間的電荷轉(zhuǎn)移特性；中頻區(qū)的阻抗(Z2)代表半導(dǎo)體TiO2薄膜/染料N719/電解液界面之間和半導(dǎo)體TiO2薄膜內(nèi)的`電荷轉(zhuǎn)移特性；低頻區(qū)的阻抗(Z3)代表的是I3在Pt對電極/電解液界面之間的傳輸特性。（4-17--4-22） -
10．電極反應(yīng)可逆性的判斷方法。
循環(huán)伏安法中電壓的掃描過程包括陰極與陽極兩個(gè)方向，因此從所得的循環(huán)伏安法圖的氧化波和還原波的峰高和對稱性中可判斷電活性物質(zhì)在電極表面反應(yīng)的可逆程度。若反應(yīng)是可逆的，則曲線上下對稱，若反應(yīng)不可逆，則曲線上下不對稱。峰電位差值越小越可逆！
11. 理想狀態(tài)和實(shí)際狀態(tài)下的電容器的CV曲線的形狀，兩者差別的原因是什么？（4-50）
理想狀態(tài)下的電容器應(yīng)該是呈現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的矩形，但在實(shí)際中由于內(nèi)阻等因素的存在，使得曲線有一定的偏差。在不同的掃描速率下，循環(huán)伏安曲線重合性都很好，說明每次循環(huán)容量的衰減都很少。隨著掃描速率的增大，曲線依然保持較好的矩形，但在掃描速率較大時(shí)(如10 mV/s)，曲線偏離矩形的程度加大。這主要是由活性炭的微孔結(jié)構(gòu)造成。
12. 金屬點(diǎn)蝕敏感性的電化學(xué)測試方法及圖譜分析。 恒電位正反掃描法（線性掃描伏安法）
將電極陽極極化到一定電位后電流會突然增加，這個(gè)電位稱為擊穿電位Eb。 當(dāng)電流超過某個(gè)設(shè)定值后將電位反向掃描，直至極化電流恢復(fù)到鈍化電流，此時(shí)的電位稱為保護(hù)電位Ep。擊穿電位越正，材料的耐點(diǎn)蝕性能越好，擊穿電位和保護(hù)電位之間的差值越小材料的耐點(diǎn)蝕性能越好。
13. 欠電位沉積的定義。
欠電位沉積（underpotential deposition，縮寫UPD）是指一種金屬可在比其平衡電勢正的電位下沉積在另一種金屬基體上，生成單原子厚度層的現(xiàn)象。
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