計(jì)算機(jī)內(nèi)存的工作原理

　　既然內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，那么它是怎么工作的呢?下面是YJBYS小編帶來的內(nèi)存的工作原理，希望對(duì)你有幫助！

　　我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM)，動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的動(dòng)態(tài)，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。以相同速度高速地、隨機(jī)地寫入和讀出數(shù)據(jù)(寫入速度和讀出速度可以不同)的一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

　　簡(jiǎn)稱RAM。RAM的優(yōu)點(diǎn)是存取速度快、讀寫方便，缺點(diǎn)是數(shù)據(jù)不能長(zhǎng)久保持，斷電后自行消失，因此主要用于計(jì)算機(jī)主存儲(chǔ)器等要求快速存儲(chǔ)的系統(tǒng)。按工作方式不同，可分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類。

　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的單元電路是觸發(fā)器，存入的信息在規(guī)定的電源電壓下便不會(huì)改變。SRAM速度快，使用方便。

　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的單元由一個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)電容和一個(gè)MOS晶體管構(gòu)成，數(shù)據(jù)以電荷形式存放在電容之中，需每隔2～4毫秒對(duì)單元電路存儲(chǔ)信息重寫一次(刷新)。DRAM存儲(chǔ)單元器件數(shù)量少，集成度高，應(yīng)用廣泛。

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